![晶能光电(常州)有限公司](http://img.czvv.com/logo/51eaac5f4d60b6508cab186c/51eaac5f4d60b6508cab186c.png)
晶能光电(常州)有限公司 main business:从事高功率LED外延片及芯片、发光效率501m/W以上发光二极管外延片(蓝光)的研发、生产,销售自产产品,并提供技术服务和技术咨询;高功率LED外延片及芯片、LED原材料、LED器件及应用产品的国内采购、批发、佣金代理(拍卖除外)和进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2011年06月27日
- 涂仁安
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- 2011年06月27日 至 2061年06月26日
- 常州市武进区市场监督管理局
- 2018年06月05日
- 江苏省武进高新技术产业开发区凤翔路7号
- 从事高功率LED外延片及芯片、发光效率501m/W以上发光二极管外延片(蓝光)的研发、生产,销售自产产品,并提供技术服务和技术咨询;高功率LED外延片及芯片、LED原材料、LED器件及应用产品的国内采购、批发、佣金代理(拍卖除外)和进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 晶能光电 | www.latticepower.com |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN105990479A | 一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法 | 2016.10.05 | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构,包括衬底,该衬底上从下至上依次设有:应力控制层,硅掺杂的n |
2 | CN105990478A | 一种氮化镓基发光二极管外延结构 | 2016.10.05 | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构,从下至上依次包括:衬底、应力控制层、n型GaN层、应力缓冲 |
3 | CN105720144A | 一种硅衬底氮化物紫外LED芯片结构及其实现方法 | 2016.06.29 | 本发明提供了一种硅衬底氮化物紫外LED芯片结构及其制备方法,在该LED芯片制备方法中包括:制备外延结 |
4 | CN205313714U | 一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘 | 2016.06.15 | 本实用新型公开了一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘,涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘包 |
5 | CN205313713U | 一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘 | 2016.06.15 | 本实用新型公开了一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘,涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘包 |
6 | CN105568371A | 一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘 | 2016.05.11 | 本发明公开了一种改善硅基氮化物各圈波长均值所使用的石墨盘,涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘 |
7 | CN105442039A | 一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘,涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘包括石 |
8 | CN105280759A | 一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法 | 2016.01.27 | 本发明提供一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法,该制备方法采用衬底转移技术,避免了由于生长衬底不透 |
9 | CN105244419A | 一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法 | 2016.01.13 | 本发明提供一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法,该方法是通过制备导电柱子将芯片的电极引出并通过在导 |
10 | CN105070805A | 一种硅基氮化物紫外LED外延结构及其实现方法 | 2015.11.18 | 本发明提供了一种硅基氮化物紫外LED外延结构及其实现方法,LED外延结构从由下往上依次为:硅衬底层、 |
11 | CN104900766A | 一种高压LED芯片的制备方法 | 2015.09.09 | 本发明提供一种高压LED芯片的制备方法,该方法包括在反射金属层的部分区域上形成多个第一凹槽和第一沟槽 |
12 | CN103904182A | 一种衬底图形化的倒装LED芯片及其制备方法 | 2014.07.02 | 本发明公开了一种衬底图形化的倒装LED芯片及其制备方法。本发明对倒装芯片的蓝宝石衬底进行了图形化处理 |
13 | CN103887218A | 一种GaN基白光倒装芯片的制备方法 | 2014.06.25 | 本发明提提供一种不受生长衬底限制的GaN基白光倒装芯片的制备方法。本发明采用两次衬底转移工艺,解除了 |
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